R2A25110KSP は、電動車用トラクションモータ等の高電圧アプリケーションに用いられる、IGBT ゲートドライバ用ICです。コアレストランス構造のマイクロアイソレータを用いることで一次側(MCU側)と二次側(IGBT側)間の高絶縁データ伝送を実現しています。

IGBT ゲート駆動回路、ミラークランプ回路、ソフトターンオフ回路に加え、IGBT温度検出など各種保護回路などを内蔵しています。IGBTの並列駆動にも対応しています。

特長

  • マイクロアイソレータ搭載 (絶縁回路)
    • 高電圧絶縁: 2500VRMS
    • 高同相電圧除去比(CMR): 35kV/us 以上
  • 高出力ゲートドライバ回路
    • ゲートドライバ出力抵抗: 1.0 Ohm max (IGBT 並列接続可能)
    • アクティブミラークランプ機能搭載
    • ソフトターン-オフ機能搭載
  • 各種保護回路搭載
    • IGBT エミッタ電流検出: 2 ch
    • 過電流検出 (Vth : 0.25 V typ.)、ショート検出(Vth : 0.5 V typ.)
    • 過電流検出 Enable/Disable 機能(SEL端子による)
    • IGBT温度検出: 2 ch
    • 低電圧誤動作防止機能
      • VCC1 (5 V 一次側): Vth 4.1 V typ.
      • VCC2 (15 V 二次側): Vth 10 V typ.
  • 過熱保護回路 (200 ℃)
  • FAULT出力(外部コンデンサによりFAULT保持時間調整可)
  • 動作周囲温度: - 40 to 125 ℃ (ジャンクション温度: 150 ℃ max)

アプリケーション

  • Main inverters for EV/HEV in automotive applications
  • Converters for EV/HEV in automotive applications
  • Inverters and converters for industrial instruments

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
star R2A25110KSP Datasheet Rev.5.2 データシート PDF 2.77 MB