电源管理

概览

描述

The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)
  • Low input capacitance
    Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • High current
    ID(DC) = ±82 A
  • RoHS Compliant
  • 文档

    文档标题 类型 日期
    PDF648 KB日本語
    应用文档
    PDF470 KB
    数据手册
    PDF1.60 MB
    其他
    PDF721 KB
    其他
    PDF15.93 MB
    其他

    设计和开发

    模型

    支持