SOTB制程工艺,是采用 SOI (Silicon on Insulator) 的新型晶体管技术。

SOTB是瑞萨电子的独家制程工艺,能够将通常难以兼顾的活动时功耗与休眠时功耗均降低到极限,同时还兼容在一枚芯片上的SOTB与Bulk混合结构。

SOTB Process Target

SOTB Transistor Bulk CMOS Transistor (for comparison)

在晶片基板上的薄硅层下方形成了极薄的绝缘层(BOX:Buried Oxide)。通过避免让杂质混入硅层,可实现稳定的低电压运行,能效更佳,发挥更好的运算性能。同时,通过在待机时控制BOX层下方的硅基板电位(反偏压控制),可减少泄漏电流,降低待机耗能。

SOTB与Bulk混合结构

由于SOTB的晶片采用薄BOX结构,容易除去BOX,可以在同一芯片上形成SOTB晶体管和Bulk CMOS晶体管。由此可以使用现有Bulk产品的IP、I/O端口、充电泵、各类模拟IP等。

Hybrid SOTB and BULK Structure