瑞萨电子广泛的驱动产品组合包括半桥、全桥、低侧和同步降压 MOSFET 驱动。

桥式驱动器产品可处理高达 100V 的电压,栅极驱动上升和下降时间业内领先,输入至输出传播延迟性能出色。 产品采用 4mm x 4mm 和 3mm x 3mm DFN 封装,满足高压系统 IPC-2221 爬电距离及电气间隙规范。

关于汽车产品,请参阅“汽车电源管理”.

分类

GaN FET 驱动器

隔离和非隔离式拓扑结构中驱动增强模式 Gallium Nitride FET

三相 MOSFET 驱动器和三相 FET 驱动器

无需更改硬件即可实现电机配置和电机控制算法

全桥 FET 驱动器

业内领先的栅极驱动上升/下降时间以及卓越的输入至输出传播延迟性能

半桥 FET 驱动器

可处理高达 100V 电压的半桥驱动器

高侧 FET 驱动器

使用 N 通道 MOSFET 驱动器减少部件数量

HVPAK™

充分利用混合信号逻辑和高压 H 桥功能组合的优势

低侧 FET 驱动器

双驱动器可向高电容负载输送峰值电流

智能 IGBT 驱动器/控制器集成电路

用于感应加热和家用电器的高度集成解决方案

同步降压 FET 驱动器

高低电压同步 MOSFET 驱动器

文档

类型 文档标题 日期
手册 PDF 5.49 MB 日文
手册 PDF 2.58 MB English(英语) , 日文
白皮书 PDF 301 KB English(英语)
3 items