The 2SJ601-Z is a Pch Single Power Mosfet -60V -36A 31Mohm Mp-3Z/To-252.

特性

  • Low on-state resistance:
    RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –18 A)
    RDS(on)2 = 46 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –18 A)
  • Low input capacitance:
    Ciss = 3300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V)
  • Built-in gate protection diode
  • TO-251/TO-252 package
  • description文档

    文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
    2SJ601 Data Sheet 数据手册 PDF 232 KB
    Attention of Handling Semiconductor Devices 日本語 应用文档 PDF 648 KB
    功率MOS FET 功率MOS FET使用时的注意事项 其他 PDF 1.60 MB
    功率MOS FET 应用例子 其他 PDF 721 KB
    可靠性手册 其他 PDF 15.93 MB

    file_download下载

    文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
    2SJ601 SPICE Data Model - SPICE ZIP 0 KB