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近来,业内对用户系统安全性和可靠性的要求日渐提高,而 SRAM 作为存储系统程序和财务交易数据等重要信息的载体,必须具备高水平的可靠性。 瑞萨电子的低功耗 SRAM (LPSRAM) 产品在中小型存储器系统中得以广泛应用并赢得一致好评,其具备更高的可靠性和更长的备用电池寿命,非常适合工厂自动化 (FA)、工业设备和智能电网等应用场景。
瑞萨电子的核心产品系列 — 高级低功耗 SRAM,因其在无需任何技术权衡的情况下实现高性能和高可靠性而享有盛誉。 此类高级 LPSRAM 存储器单元采用独家技术,抗软失效能力是传统全 CMOS 型存储单元的 500 多倍。 因此,此类器件非常适合用于需要高可靠性的领域。
PLP |
Memory Density |
组织 |
Access Time (ns) |
Supply Voltage (V) |
Temp. Range |
Price (USD) | 1ku |
|
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器件号 | |||||||
1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 1M | 128K x 8 | 55 | 4.5 - 5.5 | -40 to 85°C | 2.195 |
4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 4M | 512K x 8 | 55 | 4.5 - 5.5 | -40 to 85°C | 3.129 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | 2032 12月 | 256k | 32K x 8 | 55 | 4.5 - 5.5 | -40 to 85°C | 1.605 |
1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 1M | 128K x 8 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 2.195 |
2Mb Advanced LPSRAM (256k word x 8bit) | 2032 12月 | 2M | 256K x 8 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 2.195 |
2Mb Advanced LPSRAM (128k word x 16bit) | 2032 12月 | 2M | 128K x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 2.195 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | 2032 12月 | 256k | 32K x 8 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 1.605 |
4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit) | 2031 3月, 2032 12月 | 4M | 512K x 8 | 45 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 3.129 |
4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4M | 256K x 16 | 45 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 3.129 |
4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4M | 256K x 16 | 45 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 3.129 |
8Mb Advanced LPSRAM (1024k word × 8bit) | 2032 12月 | 8M | 1M x 8 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C | 4.463 |
8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C | 4.463 |
8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C | 4.463 |
8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C | 4.463 |
8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | 2032 12月 | 8M | 512K x 16 | 45 | 2.4 - 3.6 | -40 to 85°C | 4.463 |
16Mb Advanced LPSRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | 2032 12月 | 16M | 1M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 6.96 |
16Mbit LPSRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | 探讨中 | 16M | 1M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | |
32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit / 4M word x 8bit) | 2032 12月 | 32M | 2M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 24.18 |
32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit) | 2032 12月 | 32M | 2M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 41.71 |
64Mb Advanced LPSRAM (4M word × 16bit / 8M word x 8bit) | 2032 12月 | 64M | 4M x 16 | 55 | 2.7 - 3.6 | -40 to 85°C | 32.24 |