氮化镓 (GaN) 电源解决方案

宽带隙半导体技术，例如氮化镓场效应晶体管，用于各种电源管理应用，包括大功率电机驱动器、快速充电适配器、电信、计算甚至空间应用。 瑞萨电子提供一系列专门设计的控制器和驱动器，以利用GaN FET相对于Si FET的优势。

• 更低的导通电阻 - 低传导损耗，从而提高效率并减小器件尺寸。
• 更低的栅极电容 -大限度地降低开关损耗，从而实现更高的效率和更小的器件尺寸。
• 更快的器件 – GaN FET可以更快地切换，从而能够使用更小的磁性元件，从而实现紧凑的器件尺寸。
• 更宽的带隙 - GaN FET 为高温和辐射应用提供更高的可靠性。

为了便利GaN和Si FET之间的选择过程，瑞萨电子提供了引脚对引脚兼容的产品，可以驱动两种类型的FET，以便于比较。