MCU 省电功能确保您的系统更省电

微控制器用于多种用途。 一些应用需要高速、高性能和连续的全速运行，而另一些应用只需要在特定周期内进行部分操作。 瑞萨电子多年来一直在研究这些用例，并设计了极其节能的RA2E3，使设计人员能够通过其省电功能来降低MCU功耗, 以达到最终用户的期望，实现高能效和环保效益。 RA2E3 提供四种主要的省电模式，可以单独使用，也可以组合使用：

1. 三种不同的低功耗工作模式
2. 四种不同的电源控制模式
3. 将时钟频率切换到适当的速度
4. 在特定持续时间内停止不必要的模块

低功耗工作模式

RA2E3 提供以下三种不同的低功耗模式：

1. 休眠模式
2. 软件待机模式
3. 贪睡模式

当满足所需条件时，可以对MCU进行编程，使其自动在这些模式之间转换。 在特定条件下（高速时钟、所有外设时钟均已启用等）的正常模式下的最大电源电流为 12 mA，而在特定条件下（所有 SRAM 均已开启、所有外设模块均停止等）软件待机模式下的最大电源电流为 0.25 μA。 睡眠模式和贪睡模式下的电源电流介于正常和软件待机模式下的电源电流之间，具体取决于操作模块数量、时钟频率等条件。可以粗略比较每种模式下的功耗， 如图 1 所示。 低功耗模式之间的转换方法如图 2所示。

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睡眠模式 – 在此模式下，CPU 停止运行，但保留其内部寄存器的内容。 其他外设功能和振荡器默认不停止，但用户可以设置是否停止它们。

例如，如果用户需要在快速模式下执行一段时间的A/D转换，但在此期间不需要CPU操作，则用户可以编程MCU在A/D转换开始时进入具有高速转换时钟的睡眠模式，并在A/D转换完成后返回正常模式。 在此示例中，用户在此期间节省了不必要的 CPU 功耗。 有关进入、操作和取消睡眠模式的更多详细信息，请参阅 RA2E3 硬件手册 。

软件待机模式 – 在此模式下，CPU、大多数外设功能和振荡器停止。 但是，CPU内部寄存器和SRAM数据的内容、片上外设功能的状态和I/O端口被保留。 软件待机模式可显著降低功耗，因为大多数振荡器已停止。

例如，如果 MCU 需要等待外部输入（如 IRQ 中断）启动特定操作，并且在等待期间不需要其他操作，则用户可以对 MCU 进行编程，使其保持软件待机模式，直到接收到输入，从而节省大部分不必要的功耗。 接收到输入后，可以在软件待机模式下执行目标操作，也可以根据需要在过渡到贪睡或正常模式后执行。 目标操作完成后，可以再次返回软件待机模式并等待下一个输入。 有关进入、操作和取消软件待机模式的更多详细信息，请参阅 RA2E3 硬件手册。

贪睡模式 – 在此模式下，CPU 停止运行，但其内部寄存器的内容被保留。 大多数外设功能和振荡器的操作都是可选的。 如图 2 所示，不允许从正常模式或睡眠模式直接过渡到贪睡模式。 应通过软件待机模式过渡到贪睡模式。 但是，可以直接从“正常”模式过渡到“贪睡”模式。

让我们看一个在贪睡模式下使用 UART 的示例。 在开始UART通信之前，MCU可以保持软件待机模式，节省功耗。 当它开始接收UART数据时，MCU可以过渡到贪睡模式并继续接收数据，而不会唤醒CPU、不必要的外设功能和振荡器。 数据接收完成后，MCU可以再次返回软件待机模式，等待下一个UART数据。 有关进入、操作、结束和取消贪睡模式的更多详细信息，请参阅 RA2E3 硬件手册。

电源控制模式

有四种功率控制模式，主要根据最大工作频率和工作电压范围来定义。 通过功率模式控制内存读取速度，可以降低内存（闪存/RAM）的电流消耗。电源控制模式可用于正常、睡眠和贪睡模式。 每种模式的功耗 如图 3 所示。

高速模式 – 在此模式下，MCU的最大工作频率和电压范围分别为 48 MHz 和 1.8 至 5.5V。 在特定条件（在正常模式下工作，禁用所有外设时钟，从闪存执行CoreMark代码）模式下，最大电源电流为4.80 mA。

中速模式 – 在此模式下，MCU的最大工作频率和电压范围分别为 24 MHz 和 1.8 至 5.5V。 但是，当工作电压为1.6至1.8V时，最大工作频率为4 MHz。 在特定条件下（在正常模式下工作，禁用所有外设时钟，从闪存执行CoreMark代码）的典型电源电流为2.60 mA。

低速模式 – 在此模式下，MCU的最大工作频率和电压范围分别为 2 MHz 和 1.6 至 5.5V。 在特定条件下（在正常模式下工作，禁用所有外设时钟，从闪存执行CoreMark代码）的典型电源电流为0.30 mA。

Subosc 速度模式 – 在此模式下，MCU的最大工作频率和电压范围分别为 37.6832 kHz 和 1.6 至 5.5V。 在特定条件下，该模式的典型电源电流约为5 μA。

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时钟切换

可以为系统时钟 （ICLK） 选择分频比。 当不需要高速时钟时，用户可以切换到适当的低速时钟并节省功耗。 时钟分频比为 1、2、4、8、16、32 和 64。

频率越低，电流消耗越低。 但就功率性能（mA/MHz）而言，48 MHz是最有效的（100 μA/MHz = 4.8 mA/48 MHz）。 一般来说，对于需要更高计算处理和 CPU 性能的应用，可以通过在正常模式下设置更高的频率和缩短 CPU 处理时间来实现更低的功耗。 另一方面，对于控制系统等应用，可以通过在正常模式下将频率设置为较低的值来降低电流消耗。

例如，ICLK为48 MHz、32 MHz、16 MHz和8 MHz时，在以下省电功能的条件下，典型电源电流分别为4.80 mA、3.45 mA、2.05 mA和1.40 mA。 低功耗模式：正常模式，功率控制模式：高速模式，模块停止：禁用所有外设时钟。

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外设时钟（PCLKB、PCLKD）也可以选择时钟分频比 1、2、4、8、16、32 和 64。

模块停止功能

通过以下寄存器设置停止非工作模块或其时钟，可以节省功耗：

• DTC、I2C、SPI、SCI、CAC、CRC、DOC、ELC、AGT、GPT32n、GPT16n、POEG、ADC120模块的运行可以通过设置MSTPCRn（n：A、B、C、D）寄存器来停止
• RTC、WDT、IWDT的寄存器读/写时钟可以通过LSMRWDIS寄存器的设置来停止
• MPU、调试、BPF 的运行时钟可以通过设置 LPOPT 寄存器来停止
• 在软件待机模式下，16 KB SRAM中的8 KB可以通过PSMCR寄存器的设置关闭

各省电功能组合

结合使用省电功能可以实现更多的省电效果。 该表详细介绍了五种情况，这些情况只是众多可能组合中的几个例子。

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有关超低功耗 RA2E3 MCU 的更多信息，请访问 renesas.com/ra2e3。

在 RA2E3 硬件手册中阅读有关 RA2E3 低功耗操作模式的更多信息。