MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

特性

  • VDSS = −30 V (TA = 25°C)
  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −30 A)
  • 4.5 V Gate-drive available
  • Small & thin type surface mount package with heat spreader
  • Pb-free and Halogen free
  • description文档

    文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
    UPA2812T1L Datasheet 数据手册 PDF 167 KB
    Attention of Handling Semiconductor Devices 日本語 应用文档 PDF 648 KB
    功率MOS FET 功率MOS FET使用时的注意事项 其他 PDF 1.60 MB
    功率MOS FET 应用例子 其他 PDF 721 KB
    可靠性手册 其他 PDF 15.93 MB

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