概览

简介

The 2SK3812 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance
    RDS(on)1 = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)
    RDS(on)2 = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 55 A)
  • High current rating: ID(DC) = ±110 A

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
手册 PDF 8.73 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
应用文档 PDF 648 KB 日文
数据手册 PDF 270 KB
4 items

设计和开发

模型