概览

简介

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

特性

  • Low on-state resistance
    RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
    RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)
    RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A)
  • 2.5 V drive available
  • Avalanche capability ratings

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 270 KB
手册 PDF 8.73 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
应用文档 PDF 648 KB 日文
4 items

设计和开发

模型