特性

  • Trench gate and thin wafer technology (G8H series)
  • Built in fast recovery diode in one package
  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 75 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
  • Quality grade: Standard
  • High-Speed switching
  • Non-specification for short circuit
  • Applications: UPS, Welding, photovoltaic inverters, Power converter system

产品选择

器件号 Part Status Pkg. Type Carrier Type Buy Sample
Active TO-247A Tube
Availability

文档

文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
数据手册与勘误表
RBN75H65T1FPQ-A0 Datasheet 数据手册 PDF 160 KB
应用指南 & 白皮书
Attention of Handling Semiconductor Devices 日本語 应用文档 PDF 648 KB
TO-247plus Package 日本語 应用文档 PDF 506 KB
Usage Notes for Paralleled IGBT 日本語 应用文档 PDF 941 KB
IGBT Application Note 日本語 应用文档 PDF 1.05 MB
其他
Analog ICs Brochure 日本語 手册 PDF 4.20 MB
Discrete & Power Devices Brochure 手册 PDF 3.72 MB
模拟&功率器件型号速查手册 手册 PDF 3.28 MB
瑞萨 分立器件 综合产品目录 晶体管/二极管/双向晶闸管/晶闸管 手册 PDF 11.56 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages 手册 PDF 1.32 MB