概览

特性

  • Trench gate and thin wafer technology (G8H series)
  • Built in fast recovery diode in one package
  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
  • Quality grade: Standard
  • High-Speed switching
  • Short circuit withstands time (10 µs min.)
  • Applications: UPS, Welding, photovoltaic inverters, Power converter system

应用

文档

文档标题 类型 日期
PDF302 KB
数据手册
PDF648 KB
应用文档
PDF506 KB
应用文档
PDF941 KB
应用文档
PDF1.05 MB
应用文档
PDF2.72 MB
手册
PDF1.92 MB
手册
PDF3.28 MB
手册
PDF11.56 MB
手册
PDF1.32 MB
手册
PDF15.93 MB
其他

设计和开发

模块

支持