瑞萨电子的低延迟高带宽存储器由多个瑞萨专有低延迟存储切片构成,实现了高速随机存取、低数据粒度和高带宽。通过将存储堆栈和加速器或处理器封装在一起,即使在非连续存取时也能保持高有效带宽,从而提升性能来实现系统的与众不同。堆栈存储器可以为数据中心应用加速,例如人工智能(深度学习、卷积神经网络 等)、图形分析、数据库、稀疏矩阵。此外还适用于网络应用,例如高速查表、数据包缓冲、路由器和交换机中做控制存储器。

 

特点

堆栈存储器

堆栈存储器可与客户的 ASIC、GPU、CPU、NPU、FPGA、AI 加速器等通过硅基封装在一起。

 

高随机存取速率和低数据粒度

每秒 160 亿次随机存取和 16 字节的数据粒度实现了高有效带宽,不受应用限制。

LLDRAM Access Rate

LLDRAM Data Granularity

保证Tj高达115 °C

网络产品对最高工作温度有严苛要求,也得保证长期使用寿命,瑞萨电子低延迟DRAM产品使用在这些应用多年。新款堆栈存储器也能够保证 Tj最高115 °C 并为封装发热问题提供切实可行的解决办法。

 

产品系列/规格

密度
[Gb]
配置 突发长度 时钟频率
[MHz]
数据宽度 tRC
[ns]
存取速率
[Maps]
带宽
[Gbps]
数据粒度 VDDQ
(I/O)
[V]
状态
9Gb/
18Gb
1 2 1,000 x 1,152 12.0 16,000 2,304 16 Byte 1.0 9Gb Sampling
1.2
2 4 1,000 x 1,152 16.0 8,000 2,304 32 Byte 1.0 9Gb Sampling
1.2

 

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