瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）已于2011年1月14日正式宣布即将推出32款电压容差为 40V和55V的新型N-沟道功率金属氧化物半导体晶体管（MOSFET），以进一步强化功率MOSFET产品业务。在即将推出的新系列功率MOSFET 产品中，首款问世的NP75N04YUK采用了最高电流处理达75A的可通电小型HSON封装，安装面积为现有TO-252封装的一半。
新系列的32款功率MOSFET采用瑞萨电子新开发的ANL2生产工艺。与传统的UMOS4工艺相比，新的ANL2工艺将品质因数（FOM）性能指标（品质 因数性能指标 = 器件导通电阻 x 栅电荷）降低了近40%。这除了使新系列产品的导通电阻降至业界最低水平外，还大幅提升了其高速开关性能。除了上述优势，新系列首款问世的 NP75N04YUK器件所具有的另一大特点则是采用了尺寸小于现有TO-252封装约一半的HSON-8封装。这使NP75N04YUK得以傲视面向汽 车应用的同尺寸3.3m?产品，实现业界最低水平的导通电阻，并成为汽车控制单元实现进一步小型化与高性能化的得力助手。
(1) FOM性能指标（FOM性能指标 = 器件导通电阻 x 栅电荷）降低了40%
采用瑞萨电子完美平衡了导通电阻与低栅电荷的全新ANL2改良生产工艺。由于导通电阻与栅电荷之间存在的反比关系，业界将2者的乘积作为公认的工艺性能指 标。本次瑞萨电子的新功率MOSFET产品，其FOM指标比瑞萨电子原先采用UMOS4工艺的现有产品降低了近40%之多。
(2) 尺寸小于现有TO-252封装一半的超小型HSON封装
除了新开发的ANL2工艺以外，新款功率MOSFET中的4款产品采用超小型HSON封装（外形尺寸：6 × 5.15mm），尺寸仅为现有TO-252封装的一半，同时提供了卓越的散热性能。这些优势使NP75N04YUK成为电压容差40V的功率MOSFET 中具有业内最低导通电阻的同尺寸汽车级器件。
(3) 产品系列更丰富，满足更多不同需求
从以电动转向系统为代表的 180A大电流产品应用，到面向驱动小型螺线管的35A小电流应用，瑞萨电子均能在新系列中找到适合的对应产品。同时，新产品还可根据用户不同的安装配置 需求定制为各种封装（SMD、TO-263 7-引脚、TO-263、TO-252、HSON、THD、TO-220和TO-262）。此外，新产品还将配备40V和55V两种额定电压容差、以满足 广泛的用户需求。
瑞萨电子除了将本次的新产品定位于面向汽车中各类控制系统应用的元件外，更希望新产品能够成为帮助汽车控制系统实现小型化与高性能化的理想帮手。今后，瑞萨电子还将对其功率MOSFET产品实施进一步的扩充与加强。
欲了解新产品更为详细的技术规范信息，敬请参照 独立数据表 。
瑞萨电子已于2011年1月起提供新款功率MOSFET样品。目前，已开始供应的NP75N04YUK器件样品定价为1.3美元1,000件。量产计划于2011年4月起实施，到2012年，采用HSON封装的全14款产品月总产量预计将达到2,000,000件。
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