再创功耗新低、瑞萨电子新型高压功率MOSFET产品

高精度、超级连接结构、显著降低液晶电视与PC服务器等产品功耗

2011年01月12日

瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称瑞萨电子)于2011年1月12日正式宣布推出用于电源器件的新型高压、 N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品。新产品名为RJK60S5DPK,具有极高的效率,能显著降低PC服务器、通信基站以及太 阳能发电系统等的功耗。

 

  作为瑞萨电子高压功率MOSFET系列的首款产品,本次的RJK60S5DPK非常适用于将交流电(AC)转换为直流电(DC)的电源主开关电路应用。其所采用的高精度超级连接结构 (注1) ,使其实现了高于瑞萨电子现有产品约90%的性能系数(FOM,功率MOSFET产品的重要性能指标 (注2)。

 

  近年来,为降低能源消耗,电源电路的高效化需求正在不断增长。尤其是平板电视、通信基站、PC服务器、以及太阳能发电系统等高输出功率的电源开关系统,更是对电力转换效率的改善与省电性能提出了更高的要求。因此,功率MOSFET产品也面临着更低的导通电阻 (注3)性能需求。然而,功率MOSFET的传统平面结构却限制了产品的完善空间。面对上述课题,本次瑞萨电子尝试将其长期累积的功率器件技术用于功率MOSFET,利用深槽工艺,成功地开发出了高精度超级连接结构,使MOSFET器件的单位面积导通电阻得到了显著的降低。

 

新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要优势:

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(1) 领先业界的低导通电阻

  新型的RJK60S5DPK导通电阻仅为150mΩ(在ID=10A,VGSS=10V情况下的标准值),比瑞萨电子现有同类产品低了约52%,有效改善电源转换时的电力损失。

 

(2) 高速开关

  影响开关速度的首要、也是最主要的原因是功率MOSFET的驱动器电容。新RJK60S5DPK的驱动器电容(栅电荷Qgd)注4)比瑞萨电子现有产品降低了约80%,成功实现了6nC(在ID= 10,VGSS=10伏情况下的标准值)的开关速度,实现电源转换效率的显著提升。

 

  此外,RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了与TO-3P相同外形的标准封装,同时还采用了符合业界标准的引脚配置。这意味着它将非常易于安装在采用传统平面MOSFET器件并备受业内好评的开关电源电路板上。

 

  相比瑞萨电子原有的平面结构系列产品,采用高精密超级连接结构的功率MOSFET系列产品的单位面积导通电阻降低了约80%。因此,在导通电阻相同的情况 下,新产品可帮助芯片产品实现面积的缩小。例如,原先采用TO-3P(15.6mm×19.9mm)封装的产品如采用本次的新功率MOSFET,将可使其 封装缩小到TO-220FL(10mm×15mm)。这对今后瑞萨电子推广小型封装产品起到至关重要的作用。

 

  瑞萨电子计划面向平板电视、通信基站、PC服务器等的开关电源应用,积极推广本次的新产品,以此推动终端产品的节能化发展。今后,瑞萨电子还将继续推出超低导通电阻MOSFET的后续产品,以扩充系列产品线,并积极展开相应的业务扩展。

 

(注1) 超级连接结构:
功率MOSFET的结构配置。不同于传统的平面结构,它使得导通电阻降低而不降低设备的电压容差。这意味着每单位面积上的导通电阻可以减少。 (导通电阻的意义解析详见 注3


(注2) 性能系数,或FOM :
功率MOSFET的性能指标,它是导通电阻乘以栅漏电荷电容(Qgd)所获得的数值。


(注3) 导通电阻(Ron):
功率MOSFET运行时的电阻。较低的值表示导通损耗低。


(注4) 栅漏电荷电容(的Qgd):
功率MOSFET运行所需要的电荷。较低的值表示更快的开关性能。

 

欲了解新型RJK60S5DPK的主要规格,敬请参考 产品参数例表

 

定价和供货情况

  新型RJK60S5DPK功率MOSFET的样品现已上市,建议零售价为每个US$5。 瑞萨电子计划于2011年4月开始实现该产品的量产,并计划到2011年10月实现月产50万个的目标。(定价和供货情况如有变更,恕不另行通知。)

 

本新闻稿中所发布的产品名称和服务名称均为属于各自所有者的商标或注册商标。

 

关于瑞萨电子株式会社

瑞萨电子株式会社 (TSE: 6723) ,提供专业可信的创新嵌入式设计和完整的半导体解决方案,旨在通过使用其产品的数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。作为全球领先的微控制器供应商、模拟功率器件和SoC产品的领导者,瑞萨电子为汽车、工业、家居、办公自动化、信息通信技术等各种应用提供综合解决方案,期待与您携手共创无限未来。更多信息,敬请访问renesas.com


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