ルネサスの耐放射線製品ポートフォリオには、衛星その他過酷環境下での利用時に必要なGaN FET製品があります。 GaN は優れた導電性とスイッチング特性を有するため、システム上における電源ロスを抑制できます。

ドキュメント&ダウンロード

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
急拡大する小型衛星市場「New Space」におけるGaNデバイスの活用 English ホワイトペーパー PDF 1.49 MB
R34AN0001EU: GaN FET Current Increase Due to Heavy Ion Testing アプリケーションノート PDF 178 KB
Advantages of Using Gallium NitrideFETs in Satellite Applications ホワイトペーパー PDF 548 KB
AN9867: End of Life Derating: A Necessity or Overkill アプリケーションノート PDF 338 KB
その他資料
Intersil Space Products Brochure カタログ PDF 3.14 MB
Intersil Commercial Lab Services カタログ PDF 364 KB

ニュース&各種リソース

分類 日付 昇順で並び替え
Low Dose Rate Acceptance Testing 基本ページ 2020年3月25日
Radiation Tolerant Plastic-Package ICs 基本ページ 2020年3月20日
Standard Data Package 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard SMD Test Flow 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard Test Reports 基本ページ 2020年3月19日