航空宇宙市場では、より効率的なパワーマネジメントソリューションの開発が推進されてきました。 その1つに、GaNを用いたFETによる電力変換があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 高い信頼性の実現と、GaN FET のメリットを最大限に引き出すために、正しいドライバを使用することは非常に重要です。 ドライバの重要な要件: ゲート駆動電圧の十分な制御。高いソース/シンクの電流能力と分割ドライバ出力ステージ。

ルネサスの耐放射線特性をもつ製品ポートフォリオには、電力システムで使用される GaN FET を駆動するローサイド GaN FET ドライバが含まれます。 このドライバには、航空宇宙分野においてGaN FETを確実に駆動させるために、必要なすべての機能が含まれています。

ドキュメント&ダウンロード

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
急拡大する小型衛星市場「New Space」におけるGaNデバイスの活用 English ホワイトペーパー PDF 1.49 MB
Advantages of Using Gallium NitrideFETs in Satellite Applications ホワイトペーパー PDF 548 KB
AN9867: End of Life Derating: A Necessity or Overkill アプリケーションノート PDF 338 KB
その他資料
Intersil Space Products Brochure カタログ PDF 3.14 MB
Intersil Commercial Lab Services カタログ PDF 364 KB

ニュース&各種リソース

分類 日付 昇順で並び替え
Low Dose Rate Acceptance Testing 基本ページ 2020年3月25日
Radiation Tolerant Plastic-Package ICs 基本ページ 2020年3月20日
Standard Data Package 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard SMD Test Flow 基本ページ 2020年3月19日
Rad Hard Test Reports 基本ページ 2020年3月19日