ルネサスの耐放射線強化CMOSプログラマブル読み出し専用メモリ(PROM)デバイスは、8Kワード×8ビットのフォーマットで構成され、耐放射線強化CMOSプロセスにより製造され、同期回路設計技術を活用することで、非常に低い電力損失での高速性能を実現しています。

ドキュメント

分類 タイトル 日付
カタログ PDF 467 KB
カタログ PDF 4.85 MB
アプリケーションノート PDF 338 KB
3 items

ツール&リソース