ISL73040SEHEV4Z

耐放射線ローサイドGaN FETドライバおよびGaN FET

概要

ISL73040SEHEV4Z評価ボードは、ISL73040SEHローサイドGaNドライバとISL73024SEH 200V GaN FETを使用してハーフブリッジパワーステージを構築する方法を示します。ISL73040SEHは、4.5Vゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、ISL73024SEHを構成するGaN FETの最大ゲートソース定格を超えることを防止する、内部レギュレータを使用して生成されます。ISL73024SEHは、7.5Aのドレイン電流に対応する200V GaN FETです。

主な機能

  • ハーフブリッジ構成を駆動するシングルPWM入力
  • 調節可能なデッドタイムコントロール
  • さまざまなインダクタの配線をサポートするインターフェース
  • 高スイッチング周波数において95%を超えるピーク効率
  • イネーブル/ディスエーブル機能

アプリケーション・ダイアグラム

  • フライバックおよびフォワードコンバータ
  • ブーストおよびPFCコンバータ
  • セカンダリ同期FETドライバ

ISL73040SEHEV4Z評価ボード

ISL73040SEHEV4Z評価ボード

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ツール情報

Tools Orderable Part Number (s) Production Status Manufacturer Suggested Single Tool Price
SPQ
Description Distributor Stock Distributors Distributor Purchase
ISL73040SEHEV4Z 量産中 Renesas call 1 0 Call
ISL70040SEHEV4Z 生産中止品 call 1 0 Call

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