概要

ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

  • ロジックレベル駆動型パワーMOS FET
  • 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
  • 負荷短絡に対する耐量が向上
  • 過熱遮断方式はラッチ型。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧0 バイアスで復帰
  • 電流制限回路を内蔵
  • 高密度実装が可能
  • 電源電圧は12 V を適用
  • AEC-Q101準拠

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Standard Pkg. Type
    Price (USD) | 1ku
    ご購入 / サンプル
    型名
    RJF0412JSP-00#J0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    サンプル入手可能
    		 SOP SOP-8 / SOIC-8 1.114 サンプルを入手,
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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