概要

説明

The N0607N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 8.4 mΩ max. ( VGS = 10 V, ID = 32.5 A )
  • Low Ciss : Ciss = 3300 pF typ. ( VDS = 25 V )
  • High current : ID(DC) = ±65A
  • RoHS Compliant
  • Quality Grade : Standard

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
カタログ PDF 8.73 MB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
データシート PDF 661 KB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル