概要

説明

This product is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    RDS(on) = 3.3 mΩ MAX. ( VGS = 10 V, ID = 45 A )
  • Low Ciss : Ciss = 3900 pF TYP. ( VDS = 25 V )

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 582 KB
カタログ PDF 8.73 MB
EOL通知 PDF 1.40 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
5 items

設計・開発

モデル