The RJH65T04BDPM-A0 650V, 30A trench insulated-gate bipolar transistor (IGBT) offers a low collector to emitter saturation voltage, built-in fast recovery diode (FRD), and can be used for power switching applications. It is available in a TO-3PFP package type.
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Pkg. Type |
Carrier Type |
Price (USD) | 1ku |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||
TO-3PFP |