パワーマネジメント

Renesas discrete and power devices portfolio includes insulated gate bipolar transistors (IGBTs), power diodes, power MOSFETs, triacs and thyristors, and bipolar power transistors. Our product lineup offers support for increasing the performance of and reducing the size and weight of your system.

カテゴリ

Power Diodes

Offer quick recovery times for rectification in very high frequency applications

Power Thyristors and Triacs

Triac and thyristor with a guaranteed junction temperature (Tj) of 150 °C

パワーIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

薄型ウェハ技術による低飽和電圧と高速スイッチング

パワーMOSFET

低オン抵抗、高速スイッチング、高ロバスト性を実現するMOSFET

パワーバイポーラトランジスタ

高出力、低Vce(sat)を実現のバイポーラトランジスタ

車載用インテリジェント パワー スイッチ(保護機能内蔵)

車載ボディ、照明、ヒーターなどのアプリケーション向けデバイス

ドキュメント

タイトル 分類 日付
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カタログ
パンフレット
PDF1.71 MB
ガイド
 

ビデオ&トレーニング

IGBT Products

Renesas IGBT products Line-up

ツールとリソース