光通信用レーザ 光通信用1310/1490/1550 nm DFB-LD

4.9G/5G LTE ベースステーション向け、直接変調型半導体レーザダイオード「RV2X6376Aシリーズ」

 

RV2X6376A シリーズ は、4.9G/5Gのベースステーションや、データセンタのルータやサーバ間の通信に用いられる光トランシーバ用光源としてご利用いただける直接変調型(DML)のDFB LD(分布帰還型レーザダイオード)で、25Gbps x 4波長で100Gbpsの高速通信が可能です。
RV2X6376A シリーズは、冷却素子なしで使用できるI-temp (-40°C to 95°C) 対応のDML型 レーザダイオードです。

 

100Gbpsの大容量高速光通信を実現する半導体レーザ・ダイオード「NX6375AAシリーズ」

 

25Gbps×4波長 対応直接変調型DFB LD(分布帰還型レーザ・ダイオードNX6375AAシリーズはデータセンタ内に

設置されるサーバとルータ間の通信に用いられる100Gbps(ギガビーピーエス)光トランシーバ用光源にご利用

いただけます。

業界初、動作温度Tc=-5℃~85℃で、1チャネル28Gbpsまでの安定動作を量産レベルで実現。MTTF10万時間(注)

の高信頼性を実現しています。

なお、その他光通信用1310/1490/1550 nm DFB-LDについては、型名/購入タブよりご確認下さい。

 

[注意]

当社は、当社製品の品質水準を「標準品質」および「高品質水準」に分類しており、ここに掲載しております製品は、すべて「標準品質」です。
データシートの「ご注意書き」をご確認の上、ご使用戴きますよう、お願い致します。

RV2X6376A

特長:

- 1.3um帯 直接変調 AlGaInAs DFB LD

- Uncooled 動作 (絶対最大定格): Tc=-40℃~+95℃

- 光出力: Po=7mW@25℃

- シングルモード特性SMSR(サイドモード抑圧比): 35dB min

- 動作電流: 55mA max

-高信頼性: MTTF of 100,000 hours(注)

 

発振波長と型名の対応

1270nm Lane

1290nm Lane

1310nm Lane

1330nm Lane

RV2X6376ACCWT-AAY270

RV2X6376ACCWT-AAY290

RV2X6376ACCWT-AAY310

RV2X6376ACCWT-AAY330

(注) MTTF10万時間の数値は保証値ではありません 。

 

NX6375A

特長:

- 1310nm帯 AlGaInAs DFB LD

- 広温度対応 Tc=-5℃~+85℃

- シングルモード特性 SMSR(サイド・モード抑圧比) 35dB

- CWDM間隔対応 (発振波長1271nm、1291nm、1311nm、1331nm)

- 出荷形態 チップ(ベアダイ)

 

発振波長と型名の対応:

1271nm

1291nm

1311nm

1331nm

NX6375AA27

NX6375AA29

NX6375AA31

NX6375AA33

(注) MTTF10万時間の数値は保証値ではありません 。  

 

製品のご購入に関しては、お付き合いのある特約店・取扱店にお問合せ下さい。

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