RMLV0816BGSDは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSDは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSDは、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])に収納されており、高密度実装に最適です。
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 470 KB 英語 | |
ガイド | PDF 292 KB 英語 | |
ガイド | PDF 568 KB 英語 | |
ガイド | PDF 1.31 MB 英語 | |
製品別信頼性資料 | PDF 202 KB | |
パッケージ外形図 | PDF 69 KB | |
製品変更通知 | PDF 1.37 MB 英語 | |
製品変更通知 | PDF 1.57 MB 英語 | |
8 items
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PLP |
Pkg. Type |
Carrier Type |
Moisture Sensitivity Level (MSL) |
Price (USD) | 1ku |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 circleアクティブ サンプル入手可能 |
2032 12月 | uTSOP | Tray | 3 | 4.659 | サンプルを入手, |
2032 12月 | uTSOP | Embossed Tape | 3 | 4.463 |