概要

説明

R1LV1616HSA-Iシリーズは、1-Mワード x 16ビット構成もしくは2-Mワード x 8 ビット構成の16MビットスタティックRAMであり、1ビットエラー訂正対応のECCを内蔵しています。CMOSプロセス技術(6トランジスタメモリセル)を採用し,高密度,高性能,低消費電力を実現しております。したがって,R1LV1616HSA-Iシリーズはバッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は,高密度実装可能な48ピンTSOPIが用意されております。

特長

  • 3.0V 単一電源:2.7V ~ 3.6V
  • アクセス時間:45/55ns(max)
  • 消費電力
    -動作時:9mW/MHz(typ)
    -スタンバイ時:1.5μW(typ)
  • 完全なスタティックメモリです。
    -クロック,タイミングストローブを必要としません。
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • バッテリバックアップ動作が可能です。
    -2CSによるデータ保持動作
  • 温度範囲:-40 ~ +85°C
  • BYTE#とA-1入力信号により、Byteモード(x8モード)動作が可能です。
  • 1ビットエラー訂正ECC(error checking and correction)内蔵

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