概要

説明

PS9331L, PS9331L2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
PS9331L, PS9331L2 は既存の 8 ピン DIP に比べ,実装面積が約 50%減少となる 6 ピン SDIP パッケージを採用しています。
高耐ノイズ (高 CMR),高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9331L は,表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9331L2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。

特長

  • 沿面距離が長い (8 mm MIN.:PS9331L2)
  • 8 ピン DIP に比べ実装面積約 50%削減
  • 出力ピーク電流 (2.5 A MAX., 2.0 A MIN.)
  • 高速スイッチング (tPLH, tPHL = 175 ns MAX.)
  • 瞬時同相除去電圧が高い (CMH, CML = ±50 kV/μs MIN.)
  • 動作周囲温度 (125 ℃)
  • エンボス・テーピング対応品:PS9331L-E3,PS9331L2-E3:2 000 個/リール
  • 鉛フリー対応品
  • 海外安全規格
    UL 認定品:No. E72422
    CSA 認定品:No. CA 101391 (CA5A, CAN/CSA-C22.2 60065, 60950)
    SEMKO 認定品 (EN 60065, EN 60950)
    DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5) 認定品 (オプション対応いたします)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 385 KB 英語
カタログ PDF 4.94 MB 英語
Product Advisory PDF 202 KB 英語
カタログ PDF 5.40 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 190 KB
カタログ PDF 5.23 MB 英語
製品変更通知 PDF 163 KB 英語
アプリケーションノート PDF 957 KB
8 items

設計・開発

モデル