RJE0603JPE

Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

ボディ・ライティング・ヒータアプリケーション向け、またパワートレインアプリケーション向け、24Vアプリケーション向けに、過熱保護機能を内蔵し、パワーMOSFETとパッケージ互換の製品群をサーマルFETとして提供します。

Product Status: Mass Production

OVERVIEW

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc..

KEY FEATURES

    • High endurance capability against to the short circuit.
    • Built-in the over temperature shut-down circuit.
    • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
    • Built-in the current limitation circuit.

PARAMETRICS

Parameters
RJE0603JPE
Basic Information
Nch/Pch
Pch
Number of channels
Single
Automotive
YES
VDSS (V)
-60
ID (A)
-50
RDS (ON) (mohm) max. @4V to 4.5V
30
RDS (ON) (ohm) typ. @4V to 4.5V
16
RDS (ON) (mohm) max. @8V to 10V
15
RDS (ON) (ohm) typ. @8V to 10V
12
Pch (W) .
100
Tsd (°C) typ.
175
Package Type.
LDPAK(S)(1)
Production Status
量産中

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