NP16N06YLL

60 V – 16 A – N-channel Power MOS FET

最新トレンチ技術による「0.25umのANL3プロセスをはじめとする微細化技術」「新マルチ・ボンディングを用いたパッケージ技術」による世界最高レベル の超低ON 抵抗を実現し車載仕様に適した製品を取り揃えております。 [注意] 弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意があります。 必ずご一読下さい。

Product Status: Mass Production(*)

OVERVIEW

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

KEY FEATURES

    • Low on-state resistance
      RDS(on) = 35 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A)
    • Low Ciss: Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
    • Logic level drive type
    • Gate to Source ESD protection diode built in
    • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

PARAMETRICS

Parameters
NP16N06YLL
Basic Information
Production Status
Mass Production(*)
PLP
-
Package Type
HSON-8
Nch/Pch
Nch
Number of Channels
Single
VDSS (V) max.
60
ID (A)
16
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V
55
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V
35
Ciss (pF) typ.
400
Vgs (off) (V) max.
2
VGSS (V)
20
Pch (W)
27.3
Application
Automotive Use
Mounting Type
Surface Mount
Series Name
NP Series
QG (nC) typ.
12

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