概要

説明

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10PDF)
  • Low Ciss: Ciss = 2100 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • Logic level drive type
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 156 KB
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル