These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10PDF)
  • Low Ciss: Ciss = 2100 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • Logic level drive type
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

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製品名 Part Status 購入/サンプル
Obsolete
Availability

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
データシート
star NP40N10YDF, NP40N10VDF, NP40N10PDF Datasheet データシート PDF 156 KB
ユーザーガイド、マニュアル
Power Devices Part Number Guide ガイド PDF 2.00 MB
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
その他資料
PowerMOSFET & IPD カタログ PDF 2.24 MB