The F6102 is an 8-element receiver silicon IC designed using a SiGe BiCMOS process for Ka-Band (17.5GHz to 21.5GHz) SATCOM, Weather Radar, Test and Measurement and other phased array applications. The core IC has 6-bit phase control coupled with up to 30dB gain control on each channel to achieve fine beam steering and gain compensation between radiating elements. The device has 16dB nominal gain and -30dBm IP1dB. The core chip achieves an RMS phase error of 3° and RMS gain error of 0.3dB over the frequency of operation.
The chip operates at 2.1V to 2.5V and features ESD protection on all pins. The core design includes standard SPI protocol that operates up 50MHz with fast-beam switching, fast beam-state loading and fast four on-chip beam storage. The module has four external bias pins (5-bit DACs) to control external LNA’s, temperature reporting and external biasing.
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VFQFPN | 40 | K | Tray | サンプルを入手, | |
VFQFPN | 40 | K | Reel |
IDT、アクティブアンテナシステム分野での成長を加速する マイクロ波/ミリ波製品を発表 | ニュース | 2017年9月26日 |