瑞萨电子存储器 IP 提供具有各种配置的 SRAM 和 TCAM。
瑞萨电子 SRAM 和 TCAM IP 的显著特性:
- 面积小
- 通过优化存储器的外围电路,面积大幅缩小。
- 低功耗
- 支持低泄漏保留模式(继续待机)和断电模式(关机)。
- 围绕 IDM 的设计质量
- 经过诸多产品验证。
以下部分 IP 可签约用于设计。 请联系我们了解详情。
功能 | IP 名称 | 工艺(或软宏) | 状态 | 文档 | 查询 |
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SRAM | SRAM: 1WR, 1W1R (2clk), 2WR (2clk) | TSMC 40nm | 可用 (需要咨询规格) | 电子邮件 | |
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk, 1clk), 2WR (2clk, 1clk), 2W2R (1clk) | TSMC 28nm | ||||
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk, 1clk), 2WR (2clk) | TSMC 16nm | ||||
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk, 1clk), 2WR (2clk) | TSMC 12nm | ||||
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk) | TSMC 7nm | ||||
SRAM: 1WR 1.8V-3.3V | TSMC 40nm | 初步文档 (需要咨询) | |||
TCAM | TCAM IP 解决方案 | SMIC 40nm | 可用 (需要咨询规格) | 电子邮件 | |
TSMC 28nm | |||||
TSMC 16nm | |||||
TSMC 12nm | |||||
TSMC 7nm |