瑞萨电子推出带有大容量存储器的V850ES/JG3-L低功耗微控制器

无需外部存储器、有效降低软件开发负担,全面对应智能电表与卫生保健设备等应用需求

2011年02月25日

瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称瑞萨电子)于2011年2月25日正式宣布推出8款名为 V850ES/JG3-L的J系列32位V850微控制器(MCU)产品。新产品为2010年推出并广获成功的低功耗V850ES/Jx3-L 32位MCU的后续产品,主要面向带有高密度存储器(768KB Flash/80KB RAM至1MB Flash/80KB RAM)的低功耗便携式应用,可满足用户对存储器不断增长的需求,在实现大容量存储的同时,还达到了业内领先的低功耗。此外,在本次的8款高存储密度 MCU中,还有4款配备USB 2.0功能接口,可支持通信功能。

 

  新产品将主要面向智能电表、卫生保健设备等应用。其具有的低功耗性能、1MB Flash与80KB RAM存储器,特别适用于智能电表应用。目前,许多智能电表产品都受到功率预算的限制,同时,随着通信无线电数量的增加与软件复杂度的提升,为使系统保持 在功耗预算内,包括MCU在内的每一个元件都面临着控制并降低功耗、以及利用容量更大的Flash存储器来支持越来越多通信软件的课题。此外,在卫生保健 系统领域中,便携式测量与监控器件(如血糖仪)也尤其需要利用低功耗来延长电池寿命,以及通过使用大容量Flash存储器来实现数据存储。而瑞萨电子本次 推出的新产品中,有4款产品具备USB接口,可实现卫生保健系统对医患信息交换的需求,并符合Continua联盟标准。其另外一大优势则是具有32位处 理性能,可支持从段式LCD到点矩阵和OLED的不同显示器图形计算。

 

  随着软件复杂度的不断增加,产品设计者的设计决策面临着越来越大的挑战,即:无法确定是通过延长设计周期来缩小软件尺寸,还是利用其它外部存储器来缩短设计 时间。而高密度Flash则为这一设计难题提供了行之有效的解决方案。通过自带的1MB Flash,V850 MCU可在无需外部存储器的情况下,对多种应用提供支持。

 

  瑞萨电子全新的V850ES/JG3-L MCU在满足上述需求的同时,还实现了小于J系列其他产品(相比于公司的现有产品)50%的正常工作电流,实现了业内领先的低功耗,并提供了更大的内部存储容量。

 

V850ES/JG3-L MCU具有以下主要优势:

(1)大容量片上存储器可有效削减包括软件开发工作与系统结构在内的总成本

  提供768KB或1MB的片上Flash存储器与80KB的片上RAM。相比于早期产品,新系列在切实减少软件程序压缩工作的同时,还可省去价格高昂的外部存储器。

 

(2)同时实现业内顶级的低功耗与高速处理

  20MHz的工作频率下功耗仅为0.9mW/MIPS(注1)。 此外,尽管对外设功能(如USB 2.0和实时计数器功能)进行了改善,新系列产品却仍可在待机模式下实现0.7μA的低电流消耗(利用实时计数器操作)。同时,由于新产品还支持2.0V 的低压操作(在2.5MHz频率下),因此更有助于延长便携式信息终端和其它利用电池供电的电子设备的电池工作时间。

 

(3)轻松实现与现有J系列器件的软件资产共享

  随着本次新产品的推出,J系列产品线现已扩充至125款产品,分别带有16KB~1MB的 Flash存储器和8KB~80KB的RAM,以及40~144的不同引脚封装。而瑞萨电子所提供的另一强大技术支持,是完全兼容于该系列全125款产品 的软件服务。这使用户在选择了同系列产品时,可轻松地重新利用已有的软件资产,大大有助于开发周期的缩短与开发成本的降低。

 

欲了解V850ES/JG3-L MCU的主要技术规范,敬请参照数据表

 

定价和供货情况

  瑞萨电子现已开始提供新款V850ES/JG3-L MCU样品。样品价格将根据存储容量、封装类型等参数的不同而有所差异。例如,采用100引脚LQFP封装、带有1MB Flash存储器的MCU单价为7.65美元。新产品将于2011年7月起实现量产,预计到2012年, 8款产品的总产量将达到3,000,000件。(定价和供货情况如有变更,恕不另行通知。)

 

(注1) MIPS: 每秒可执行100万条指令。Dhrystone基准是一种用于评估计算机算术性能的程序。

(备注) 瑞萨电子32位器件所采用的SuperFlash存储器技术得到了Silicon Storage Technology公司的许可。SuperFlash是Silicon Storage Technology公司在美国、日本和其它国家的注册商标。

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