瑞萨电子全新5款网络设备存储器产品隆重登场

实现更大容量、更高速、更低功耗

2011年01月18日

瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网路设备的高速存储器产品 576Mb(Mbit)Low Latency DRAM,品名分别为µPD48576109、 µPD48576118、 µPD48576209、 µPD48576218、 µPD48576236。新产品将于即日起提供样品。

 

  与公司原有288Mb Low Latency DRAM「μPD48288236」产品相比,新产品最大的特点是其存储容量提升至原有产品的2倍因而实现了大容量化。此外,其高速数据读写随机周期性能 在原先产品基础上提高了25%。另一方面,尽管最高操作频率提高了33%,其耗电却比原有产品降低了10%。

 

  由于新产品的单位存储器容量功耗低,比公司原有产品大幅度节省了能源,因此更便于解决网络设备设计上的散热问题。

 

  目前新产品样片价格为5,000日元。瑞萨电子计划于2011年下半年起实现该产品的批量生产,同时预计到2012年实现5种产品共计年产200万件以上。

 

  随着宽带网络的普及和云计算的推广,利用网络来进行大容量数据交换的方式越来越普遍,这导致了网络流量的急剧增长。为了使流量处理更顺畅,同时降低功耗实现节能环保,交换机及路由器等网络设备需要内置更大容量、更高速、更低功耗的存储器。

 

瑞萨电子此次推出的新产品,正是为了满足网络设备的上述需求。新产品详细优势如下:

 

(1) 实现了大容量、高速及低功耗

  新产品充分利用了瑞萨电子在高速存储器领域长期积累的高速sense amplifier和•低功率存储器开发经验与技术,采用了操作时将启动的存储器阵列保持在最小限度的控制方式,这使其与公司原有产品相比实现了数据读写 的进一步高速化与功耗的大幅降低。新产品的存储容量为576Mb,是公司原有产品288Mb的2倍;同时,其高速数据读写随机周期性能也提高了25%,从 20ns(纳秒)缩短到15ns;此外,尽管最高操作频率从原有的400MHz(兆赫)提高了33%达到533MHz,其耗电量却比原有产品降低了10% 以上。

 

(2) 采用与旧款产品同样尺寸的封装,使开发周期更为缩短

  虽然存储器容量扩大了一倍, 新产品却仍采用与原有产品相同的11mm×18.5mm封装尺寸,该封装尺寸拥有大量应用实绩,其高可靠性已得到市场普遍认可。另外,新产品在印刷电路板 的设计上没有大的变更。通过存储器的大容量化和高速化,本次的新产品不仅可使系统整体性能得到提高,还能使可靠性与电特性上的风险得到降低。

 

  作为目前能够向网络设备存储器领域提供QDR SRAM,Low Latency DRAM,TCAM(Ternary Content Addressable Memory)的全球唯一一家制造厂商,瑞萨电子此前已推出了从18Mb到72Mb的QDR SRAM、TCAM、288Mb及1.1Gb(Giga bit)Low Latency DRAM等产品。此次,瑞萨电子又通过576Mb Low Latency DRAM新产品的市场投放,进一步扩充了其面向网络设备存储器的产品阵容。

 

  为了应对交换机、路由器等网络设备在高性能化与节能省电方面日益增长的需求,此次的新产品定位为高性能和低功耗,计划在全球范围内推广销售。今后,瑞萨电子 将以成为全球产品阵容最丰富最齐全的厂商为目标,不断开发应用于尖端技术的网络设备存储器产品,扩大公司在网络存储器领域的市场份额,力争将2009年度 全球No.1的40%扩大到2012年度的60%。

 

新产品的主要规格请参照附件

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关于瑞萨电子集团

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