ルネサスは、独自技術である垂直磁気トンネル接合STT(スピントランスファートルク)を活用することで、長期データ保持と高速シリアル/パラレルインタフェースを備えたクラス最高の不揮発性メモリを実現する次世代MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)を提供しています。 ルネサスのMRAMは、幅広いメモリ密度と高い動作温度を備えており、高速なバックアップデータ検索を必要とするファクトリーオートメーション機器から、長期のデータ保存を必要とする医療用データユニットまで、幅広いアプリケーションに適しています。

ルネサスのMRAM製品は以下が含まれます。

  • 高いメモリ密度
    • SPI 4Mb~16Mb
    • パラレル 4Mb~32Mb
  • 低いアクティブ書き込み/読み出し電流
  • SDRおよびDDRモードを備えたSPI、DPI、QPI、および最大108MHzの構成可能なインタフェース
  • 1.71V~3.6V(SPIインターフェース)および2.7V~3.6V(パラレルインターフェース)の低動作電力
  • 動作温度範囲 -40 °C~105 °C

MRAMメモリについて

MRAMは、磁気素子のセル内にデータを保存するタイプのメモリです。 薄い絶縁体で分離された2つの強磁性プレートが磁化を保持します。 1つのプレートは、特定の極性に設定された永久磁石です。 2つ目のプレートの磁化は、外部磁場によって変化します。 プログラミング中、この磁場は低抵抗または高抵抗の状態を生成することができ、それぞれデータ記憶における「0」または「1」を表します。

ドキュメント

分類 タイトル 日付
カタログ PDF 4.43 MB 英語
概要 PDF 1.26 MB
2 items
High Performance Serial and Parallel MRAM Memory Family

Renesas’ high performance serial and parallel MRAM memory family provides the largest range of SPI and parallel interface non-volatile memory sizes, with fast read and write speeds. The MRAM family is ideal for applications ranging from factory automation equipment requiring fast back-up data retrieval to medical data units with long-term data storage requirements.