特性

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Tc = 25°C)
  • High-Speed Switching
  • Short circuit withstands time (10 μs min.)

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star RJP65S08DWA/RJP65S08DWS Datasheet 数据手册 PDF 77 KB
Attention of Handling Semiconductor Devices 日本語 应用文档 PDF 648 KB
TO-247plus Package 日本語 应用文档 PDF 506 KB
Usage Notes for Paralleled IGBT 日本語 应用文档 PDF 941 KB
IGBT Application Note 日本語 应用文档 PDF 1.05 MB
Analog ICs Brochure 日本語 手册 PDF 2.72 MB
Discrete & Power Devices Brochure 手册 PDF 1.92 MB
模拟&功率器件型号速查手册 手册 PDF 3.28 MB
瑞萨 分立器件 综合产品目录 晶体管/二极管/双向晶闸管/晶闸管 手册 PDF 11.56 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages 手册 PDF 1.32 MB
可靠性手册 其他 PDF 15.93 MB

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