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ルネサスは、高性能オペアンプの出力を超低リークアナログ・スイッチとMOSFET入力ユニティゲイン・アンプに直列に接続した、耐放射線特性の高いモノリシック回路を提供しています。 サンプル&ホールドとしての性能は、他のモノリシック回路、ハイブリッド回路、モジュール回路、ディスクリート回路などと比較しても非常に優れています。
Maximum Acquisition Time (10V Step to 0.1%) (μs) |
Maximum Acquisition Time (10V Step to 0.01%) (μs) |
Maximum Trift Current Over Temperature (nA) |
PSRR (db) |
High Dose Rate (HDR) (krad (Si)) |
Low Dose Rate (LDR) (krad (Si)) |
DSEE (SEL, SEB, etc.) (MeV*cm2/mg) |
SMD URL |
DLA SMD |
Pkg. Class |
Qualification Level |
|
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型名 | |||||||||||
Radiation Hardened Fast Sample and Hold | 10 | 80 | 100 | 100 | 5962-95669 | 5962R9566902VCC | V | QML Class V (Space) |