MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

特長

  • High speed switching
  • Capable of 4.5 V gate drive
  • Low drive current
  • High density mounting
  • Low on-resistance
    RDS(on) = 1.6 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
  • Pb-free
  • Halogen-free

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
star RJK0328DPB-01 Datasheet
データシート
PDF 89 KB
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項 English
アプリケーションノート
PDF 633 KB
パワーMOS FETアプリケーションノート English
アプリケーションノート
PDF 2.82 MB
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意
ガイド
PDF 596 KB
パワートランジスタマーク仕様変更の件 English
テクニカルアップデート
PDF 153 KB

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RJK0328DPB-01 SPICE Data
Model - Other
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