概要

説明

The RJP65S03DWA 650V, 30A insulated-gate bipolar transistor (IGBT) offers high-speed switching, low collector to emitter saturation voltage, and is available in an Unsawn wafer package type.

特長

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5V typ. (at IC = 30A, VGE = 15V, Tc = 25 °C)
  • High-speed switching
  • Short circuit withstands time (10μs min.)

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