概要

説明

The RBA160N04AHPF-4UA01 is an N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 1.25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 8800pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 413 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
5 items

設計・開発

モデル