特性

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 150 A, VGE = 15 V, Tc = 25°C)
  • High-Speed Switching
  • Short circuit withstands time (10 μs min.)

description文档

文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
star RJP65S07DWA/RJP65S07DWS Datasheet
数据手册
PDF 118 KB
Attention of Handling Semiconductor Devices 日本語
应用文档
PDF 648 KB
TO-247plus Package 日本語
应用文档
PDF 506 KB
Usage Notes for Paralleled IGBT 日本語
应用文档
PDF 941 KB
IGBT Application Note 日本語
应用文档
PDF 1.05 MB
Analog ICs Brochure 日本語
手册
PDF 2.72 MB
Discrete & Power Devices Brochure
手册
PDF 1.92 MB
模拟&功率器件型号速查手册
手册
PDF 3.28 MB
瑞萨 分立器件 综合产品目录 晶体管/二极管/双向晶闸管/晶闸管
手册
PDF 11.56 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages
手册
PDF 1.32 MB
可靠性手册
其他
PDF 15.93 MB

file_download下载