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Masahiro Koido
Masahiro Koido
Principal Product Marketing Specialist
已发布: 2022年9月27日

为了实现碳中和社会,对于电动汽车(EV)的需求日益增长。这涉及到众多领域,特别是汽车领域,从传统发动机到电机的动态变化正在飞速发展。出于这些原因,客户想要在短时间内制造出低损耗并且无故障的车辆。

近日,瑞萨刚发布了一款IGBT新产品AE5,是控制 EV 主驱电机的逆变器里的关键功率部件 。

AE5 的特性(1):改善电气特性

行驶里程这一 EV 主要性能指标很大程度上受到逆变器性能(损耗)的影响,因此需要高效 IGBT 以降低逆变器损耗。IGBT 损耗包括导通损耗和开关损耗。与传统产品(AE4)相比,AE5 的导通损耗降低了 10%,实现了行业内最高的性能水平,预计在逆变器运行期间, IGBT 的损耗比传统产品减少了 3-6%(在相同的电流密度下)。此外,通过改进制造工艺,还可以减少参数、特性的不一致性)并实现 IGBT 的批量生产。具体而言,IGBT 通电阈值电压的标准波动为 ±0.5V,是之前产品的 50%,这减少了与大电流控制并联使用时 IGBT 开通的时间差异),以避免产生电流不平衡,并减少了逆变器设计的难度。

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AE5 Output Characteristics
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AE5 IGBT power loss (100kW inverter operation)
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AE5 Improvement of VGE(th) distribution

AE5 的特性(2):保持高击穿强度

电流密度比传统 IGBT 高 10%,成功实现了兼顾低损耗、高可靠性的最佳芯片尺寸(100 mm2/300A)。特别是,该器件可在 IC 脉冲(600A)下保持反向偏置安全工作区(RBSOA),在最高工作温度175°C下具有 4µs@400V 的(高度稳定)短路耐受时间,这是通常所需的水平。此外,通过将内置栅极电阻的温度依赖性缩减 50%,可抑制低温下的尖峰电压、减少高温下的开关损耗,从而在温度变化范围内保持稳定和高性能。

瑞萨的投入:功率专用生产线/ 重启甲府工厂

消费和工业领域对电动汽车电力供应和控制设备的需求正在迅速增加,预计未来还会进一步增加。为了应对这一需求,我们准备将于 2024 年重新启动2014年关闭的甲府 300 mm 晶圆功率半导体生产线。此次举措将使目前的功率半导体供应能力翻倍,通过建设最大功率的半导体生产线,为实现碳中和社会做出贡献。(敬请阅读关于甲府工厂运营重启的更多信息。)

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External Appearance of Kofu Factory

瑞萨始终致力于开发面向未来的 EV 产品:正在计划开发用于高母线电压击穿电压为 1200V的产品,并将新材料商业化。

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文档标题 类型 日期
瑞萨电子投资甲府工厂,300mm功率半导体产线恢复 新闻 2022年5月17日