SOTB技術

SOTBプロセス技術によりエナジーハーベスト機器の実現

ルネサス独自のSOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)プロセス技術を採用することにより、従来のマイコンでは実現不可能であった、低アクティブ電流と低スタンバイ電流の両立を実現できます。
これにより、電池の充電や交換が不要なメンテナンスフリーのIoT機器を開発することが可能になるため、エナジーハーベストによるエンドポイントインテリジェンスという、新しい市場を創造します。

このページでは、SOTBプロセス技術の概要と、この技術を用いてルネサスが提案する具体的な応用事例を紹介いたします。

Overview1

Overview2

技術概要

SOTBプロセスとは

従来トレードオフの関係にあった、アクティブ時の消費電力とスリープ時の消費電力を、どちらも減らすことができるルネサス独自のプロセス技術です。

SOTBを採用するメリット

超低消費電力、さらに低電力性能を損なわず高速動作実現のスケーラビリティ、SOTBのドーパンレスチャネル構造による高性能アナログと低ノイズ性、高いソフトエラー耐性

ルネサスからのご提案と応用事例

SOTBを用いた半導体製品

エナジーハーベストアプリケーションの設計を容易する、新しい組込コントローラ「R7F0E」。

【応用事例】エナジーハーベスト

「R7F0E」の特長であるエナジーハーベストコントローラ回路を使いエナジーハーベストシステムの応用事例。

関連ドキュメント

Leaflet

SOTB™ (Silicon On Thin Buried Oxide)プロセス技術

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