ルネサスが提供するMOSFET内蔵の耐放射線、高効率、モノリシック、同期降圧レギュレータは、クラス最高のシングルイベントトランジェント(SET)性能を提供し、ミッションクリティカルなFGPA、マイクロコントローラ、またはマイクロプロセッサへの電力供給時に欠かせない製品です。このデバイスは、多くの小型フォーム・ファクタ用途向けの電源として最適な選択肢となります。耐放射線性プラスチックパッケージICは、世界中のコミュニティ、政府、および企業の何億人ものユーザーに高速インターネット接続などのソリューションを提供する「小型衛星(SmallSat)」という新興分野をサポートするために設計されています。

設計リソース

小型衛星による「新しい航空宇宙」分野におけるGaNの活用

小型衛星による「新しい航空宇宙」分野におけるGaNの活用

ルネサスのGaN FETが、人工衛星分野で利用する際、より効率的なスイッチング、より高い周波数での操作、ゲート駆動電圧の引き下げ、さらにコンパクトなソリューション・サイズをどのように実現するかをお確かめ下さい。

Knowledge Base

Rad Tolerant Power FAQs

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FAQs

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小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
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評価ツール

ISL71040MEV1Z耐放射線ローサイドGaN FETドライバ評価ボード

評価キット

ISL71040MEV1Z

ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M耐放射線ローサイドGaN FETドライバを評価するために設計されています。

ISL71043MEVAL1Z耐放射線シングルエンド電流モードPWMコントローラ評価ボード

評価キット

ISL71043MEVAL1Z

ISL71043MEVAL1Z評価ボードは、フライバック電源供給構成でのISL71043M PWMコントローラおよびISL71040M GaN FETドライバを評価するために使用されます。