ルネサスが提供するMOSFET内蔵の耐放射線、高効率、モノリシック、同期降圧レギュレータは、クラス最高のシングルイベントトランジェント(SET)性能を提供し、ミッションクリティカルなFGPA、マイクロコントローラ、またはマイクロプロセッサへの電力供給時に欠かせない製品です。このデバイスは、多くの小型フォーム・ファクタ用途向けの電源として最適な選択肢となります。耐放射線性プラスチックパッケージICは、世界中のコミュニティ、政府、および企業の何億人ものユーザーに高速インターネット接続などのソリューションを提供する「小型衛星(SmallSat)」という新興分野をサポートするために設計されています。

設計リソース

Taking Advantage of GaN in Small Satellite New Space Applications

Taking Advantage of GaN in Small Satellite “New Space” Applications

Learn how Renesas GaN FETs allow for more efficient switching, higher frequency operation, reduced gate drive voltage, and smaller solution sizes in satellite applications.

Knowledge Base

Rad Tolerant Power FAQs

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FAQs

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小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
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評価ツール

ISL71040MEV1Z耐放射線ローサイドGaN FETドライバ評価ボード

評価キット

ISL71040MEV1Z

ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M耐放射線ローサイドGaN FETドライバを評価するために設計されています。

ISL71043MEVAL1Z耐放射線シングルエンド電流モードPWMコントローラ評価ボード

評価キット

ISL71043MEVAL1Z

ISL71043MEVAL1Z評価ボードは、フライバック電源供給構成でのISL71043M PWMコントローラおよびISL71040M GaN FETドライバを評価するために使用されます。