ISL71040M

Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver

Product Status: 量産中

OVERVIEW

ISL71040Mは、絶縁トポロジおよび昇圧タイプ構成で、エンハンスモードのGaN FETが動作するように設計されたローサイドドライバです。ISL71040Mは、4.5V~13.2Vで動作し、単一デバイスでの反転/非反転の両ゲートを駆動させるために、反転(INB)および非反転(IN)入力の両方が可能です。

b ISL71040Mは、4.5Vのゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。ゲート電圧は、エンハンスモードGaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう、内蔵レギュレータを用いて生成されます。さらに特徴として、低電圧ロックアウト(UVLO)保護があります。これは入力(INおよびINB)によらず、OUTLのオン状態を維持して、VDRVがUVLOしきい値を下回ると、必ずGaN FETをオフにします。

ISL71040M入力は、VDD電圧に関係なく、最大耐圧14.7Vであり、ほとんどのPWMコントローラに直接接続できます。ISL71040Mの分割出力により、オン/オフ切り替えパスにインピーダンスを追加することで、オン/オフ速度を独立して調整できる柔軟さを持つことができます。

ISL71040Mは、-55°C~+125°CのMILスペックで動作し、8 Ld薄型デュアルフラット無鉛(TDFN)プラスチックパッケージで供給いたします。

KEY FEATURES

  • 幅広い動作電圧範囲:4.5V~13.2V
  • 最大14.7Vのロジック入力(VDDレベルに無関係)
    • 反転および非反転入力
  • GaN FETの拡張モード駆動に最適化
    • 内部4.5 Vの安定ゲート駆動電圧
    • 調節可能なターンオン/ターンオフ速度を調整可能とするための独立出力
  • NiPdAu-Agリード仕上げ(Snフリー、Pbフリー)
  • 感湿レベル(MSL)評価:1
  • NASAの低OUTGAS仕様に適合
  • 全てのMILスペック内温度範囲で動作
    • TA = -55~+125°C
    • TJ = -55~+150°C
  • 特性試験済み放射線レベル
    • 低線量率(LDR)<0.01rad(Si)/s:30krad(Si)
    • SEB/Lなし、VDD = 16.5V:43MeV•cm2/mg

PARAMETRICS

Parameters
ISL71040M
Basic Information
品名
ISL71040M
Production Status
量産中
入力電圧 (V) (min)
4.5
入力電圧 (V) (max)
13.2
Gate Drive (V)
4.5
UVLO立ち上がり (V)
3.98
UVLO立ち下がり (V)
3.74
VIH
1.7
VIL
1.4
RONP (Ohms)
2.2
RONN (Ohms)
0.5
低線量率 (ELDRS) krad (Si)
30
SEL (MeV/mg/cm2)
43

ブロック図

設計リソース

小型衛星による「新しい航空宇宙」分野におけるGaNの活用

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ルネサスのGaN FETが、人工衛星分野で利用する際、より効率的なスイッチング、より高い周波数での操作、ゲート駆動電圧の引き下げ、さらにコンパクトなソリューション・サイズをどのように実現するかをお確かめ下さい。

Knowledge Base

Rad Tolerant Power FAQs

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FAQs

2:56
小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
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評価ツール

ISL71040MEV1Z耐放射線ローサイドGaN FETドライバ評価ボード

評価キット

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ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M耐放射線ローサイドGaN FETドライバを評価するように設計されています。

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下記をご確認ください