近年、航空宇宙市場は、より効率的なパワーマネジメントソリューションの開発を推し進めてきました。その推進力の1つに、パワーステージとしての窒化ガリウム(GaN)FETの使用があります。GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。ルネサスは、それらの電源システムでGaN FETが効率的に使用されるように、耐放射線ローサイドGaN FETドライバを開発してきました。これらのプラスチックパッケージされた耐放射線GaN FETドライバは、小型衛星(SmallSat)や打ち上げ機でのDC/DC電源供給に使用されています。

設計リソース

小型衛星による「新しい航空宇宙」分野におけるGaNの活用

小型衛星による「新しい航空宇宙」分野におけるGaNの活用

ルネサスのGaN FETが、人工衛星分野で利用する際、より効率的なスイッチング、より高い周波数での操作、ゲート駆動電圧の引き下げ、さらにコンパクトなソリューション・サイズをどのように実現するかをお確かめ下さい。

Knowledge Base

Rad Tolerant Power FAQs

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FAQs

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小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
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小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
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評価ツール

ISL71040MEV1Z耐放射線ローサイドGaN FETドライバ評価ボード

評価キット

ISL71040MEV1Z

ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M耐放射線ローサイドGaN FETドライバを評価するように設計されています。

ISL71043MEVAL1Z対放射線シングルエンド電流モードPWMコントローラ評価ボード

評価キット

ISL71043MEVAL1Z

ISL71043MEVAL1Z評価ボードは、フライバック電源供給構成でのISL71043M PWMコントローラおよびISL71040M GaN FETドライバを評価するために使用されます。