ISL71xxxM耐放射線プラスチックパッケージICは、人工衛星など短期の地球低軌道(LEO)ミッションプロファイル向けの、コスト効率の良いソリューションを実現できます。

製品一覧

CANバストランシーバ

ISL71026M耐放射線3.3V CANトランシーバISL71026Mは、最高1Mbpsのシリアルデータ伝送を実現します。1つのCANバスに最大120のトランシーバの接続が可能で、衛星コマンド/テレメトリシステムのケーブル/ハーネスサイズ、重量、電力(SWAP)コストを低減します。

製品 概要 低線量率(ELDRS) krad(Si) SEL (MeV•cm2/mg) データシート 評価ボード
ISL71026M 3.3V CANトランシーバ、1Mbps、リッスンモード、ループバック 30 43 isl71026m.pdf ISL71026MEVAL1Z

GaN FETドライバ

ISL71040MローサイドGaN FETドライバは、絶縁トポロジおよび昇圧タイプ構成で、エンハンスモードのGaN FETを動作させるように設計されています。これは4.5V~13.2Vで動作し、単一デバイス内での非反転および反転ゲート駆動を評価するため、両方の入力が行えます。

製品 概要 低線量率(ELDRS) krad(Si) SEL (MeV•cm2/mg) データシート 評価ボード
ISL71040M 耐放射線ローサイドGaN FETドライバ 30 43 isl71040m.pdf ISL71040MEV1Z

オペアンプ

ISL71444Mは、高いDC精度とAC性能が要求される用途に理想的であり、ISL71218Mは、地上での入力操作が重要である単一電源用途に理想的です。

製品 概要 # チャネル 帯域幅
(MHz)
VS範囲
(V)
低線量率
(ELDRS) krad(Si)
SEL
(MeV•cm2/mg)
データシート 評価ボード
ISL71444M 19MHz 40VクアッドRail-to-Rail入出力、低出力オペアンプ 4 19 2.7~40 30 43 isl71444m.pdf ISL71444MEVAL1Z
ISL71218M 36V単一電源動作、Rail-to-Rail出力、低消費電力/高精度デュアル・オペアンプ 2 4 3~36 30 43 isl71218m.pdf ISL71218MEVAL1Z

PWMコントローラ

ISL71043Mは、昇圧、フライバック、および絶縁型出力構成を含む、幅広い電力変換用途に適したPWMコントローラです。特徴として、最大13.2V動作電圧、2.9mA動作電流、90μA標準スタートアップ電流、1MHzに調整可能な動作周波数、および立ち上がり/立ち下がり時間50nsで電流1Aを流す能力、などがあります。

製品 概要 低線量率(ELDRS) krad(Si) SEL (MeV•cm2/mg) データシート 評価ボード
ISL71043M 耐放射線シングルエンド電流モードPWMコントローラ 30 43 isl71043m.pdf ISL71043MEV1Z

スイッチング・レギュレータ

ISL71001M MOSFET内蔵の耐放射線6A同期整流降圧レギュレータISL71001Mは、最大95%の高いピーク効率をもち、FPGA、CPLD、DSP、CPUと周辺I/O向けに、5Vと3.3Vのプライマリレールを下限0.8Vと低いPOLにも高効率で降圧します。

製品 概要 低線量率(ELDRS) krad(Si) SEL (MeV•cm2/mg) データシート 評価ボード
ISL71001M MOSFET内蔵の6A同期整流型降圧レギュレータ 30 43 isl71001m.pdf ISL71001MEVAL1Z

基準電圧

超低ノイズ耐放射線ISL71010B50およびISL71010B25高精度基準電源は、低ノイズ特性が極めて重要で、高いDC精度を必要とするハイエンド計装、データアクイジション(DAQ)、信号処理アプリケーションに最適です。

製品 概要 VOUTオプション
(V)
精度
(%)
温度係数
(ppm/°C)
低線量率
(ELDRS) krad(Si)
SEL
(MeV•cm2/mg)
データシート 評価ボード
ISL71010B50 超低ノイズ、高精度な5V基準電圧源 5.0 ±0.05 10 30 43 isl71010b50.pdf ISL71010BM50EV1Z
ISL71010B25 超低ノイズ、高精度な2.5V基準電圧源 2.5 ±0.05 10 30 43 isl71010b25.pdf
テクノロジについて

ISL71xxxMファミリの耐放射線性プラスチック・パッケージICは、世界中の市町村、政府、および企業の何億人ものユーザーに高速インターネット接続などのソリューションを提供する「小型衛星」という新興分野をサポートするために設計されています。数百もの小型衛星はメガ・コンステレーション・ネットワークを形成し、地球低軌道(LEO)から、無線通信のない僻地を含む地球のあらゆる場所に、ブロードバンド・インターネット接続を提供します。

ルネサスの耐放射線プラスチック・パッケージには、極めて過酷な環境向けに、耐放射線性能が75krad超と75krad未満のいずれの製品も開発してきた、宇宙製品分野での50年超の経験が活かされています。ルネサスの耐放射線プラスチックICは、最新の耐放射線特性やAEC-Q100車載規格と同様の品質により、お客様のために最高の信頼性を提供しています。また、使用期間が最大5年と短く、コストに制約のあるLEOミッション・プロファイル向け小型衛星に組み込むことができます。また、重イオンにさらされがちな高高度(>40km)アビオニクス・システム、打ち上げロケットや、放射線が問題になる医療機器にも最適です。

耐放射線プラスチックICを使用した小型衛星コンステレーションへの電源供給の詳細を見る


Taking Advantage of GaN in Small Satellite New Space Applications

Taking Advantage of GaN in Small Satellite “New Space” Applications

Learn how Renesas GaN FETs allow for more efficient switching, higher frequency operation, reduced gate drive voltage, and smaller solution sizes in satellite applications.

2:56
小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
2:56
小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
2:56
小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。